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三星:HBM4获正面反馈 内存短缺将持续到明年

发布时间:2026-02-12 14:26:44来源: 18736031234
三星首席技术官宋在赫在接受采访时表示,三星生产的第六代高带宽内存即HBM4,从客户处收到的反馈是“非常满意”。该客户极有可能是英伟达,这也就意味着三星已经准备好大量出货了。
 
宋在赫表示,此前三星曾一度无法以自身技术实力响应客户需求,但如今三星已经重回正轨。三星同时布局了内存、代工、封装三大业务,这是三星能回归正轨的关键之处,同时这也是竞争对手所欠缺的。
 
 
据悉,三星将在本月开始向英伟达出货HBM4内存,该芯片采用10纳米第六代 1c DRAM工艺制造。三星在技术方面要领先于SK海力士,后者的HBM4仍采用第五代1b DRAM工艺生产。而在HBM4的基板生产上,三星采用自研的4nm工艺,其竞争对手则使用12nm工艺。
 
另外,宋在赫也提到了目前的内存短缺情况,表示手机、PC领域的内存具备周期性规律,内存短缺的状况将持续至明年。那也就是说,今年一整年的内存都看涨,手机价格方面只会越来越高。

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